Ufly Infineon BSM50GD120DN2 1200V 50A IGBT Modül

Infineon BSM50GD120DN2 1200V 50A IGBT Modül

BSM 50 GD 120 DN2

BSM50GD120DN2 Ürün Tanımı

BSM50GD120DN2, yüksek gerilim ve akım kapasitesine sahip bir IGBT (İletkenlik Yönü Transistör) modülüdür. Bu modül, güç elektroniği uygulamalarında özellikle yüksek verimlilik ve güvenilirlik gerektiren sistemlerde tercih edilir. 1200 V'lık anahtarlamalı gerilim sınırlarına ve 50 A'lık sürekli akım taşıma kapasitesine sahiptir. BSM50GD120DN2, düşük kayıplar ve hızlı anahtarlama hızı sayesinde enerji tasarrufu sağlar. Ayrıca, termal performansı yüksek olan kiremitli (clamped) yapı ile soğutma sistemlerine uygun şekilde tasarlanmıştır. Modül, otomotiv, yenilenebilir enerji sistemleri, endüstriyel sürücüler ve güç aracılığıyla kontrol cihazlarında yaygın kullanım alanları sunar.

Özellikler (Parametreler)

ParametreDeğer

Anahtarlamalı Gerilim (VCE)1200 V

Sürekli Akım (IC)50 A

Pik Akım (ICM)150 A

Yüksek Sıcaklıkta Anahtarlamalı Gerilim (VCEO)1200 V

Temel Düşük Kayıp (VCE(sat))1.8 V (IC = 50 A, TC = 25°C)

Yüksek Sıcaklıkta Base-Emitter Gerilimi (VBE)3.0 V (IC = 50 A, TC = 125°C)

Isıl Direnç (Rth(j-c))0.4 °C/W

Çıkış Kapasitansı (Coss)60 nF (VCE = 100 V, f = 1 MHz)

Anahtarlama Süresi (Turn-on)120 ns

Anahtarlama Süresi (Turn-off)140 ns

Çalışma Sıcaklığı Aralığı-40°C ila +125°C

Soğutma YöntemiYüzey soğutmalı (kiremitli yapı)

Kullanım Alanları

BSM50GD120DN2, özellikle yüksek güçlü invertörler, asenkron motor sürücüleri, güneş enerjisi invertörleri, yüksek güçlü DC-DC dönüştürücüler, EV (elektrikli araç) şarj sistemleri ve endüstriyel güç tesislerinde kullanılır. Uygun termal yönetimi ve düşük kayıpları sayesinde uzun ömürlü ve yüksek verimli sistemlerin geliştirilmesine olanak tanır. Aynı zamanda, yüksek yoğunluklu entegrasyon gereksinimlerini karşılayan modern güç modülleri için ideal bir seçimdir.